半導体測定に関する翻訳に、gate charge（ゲート電荷）という言葉がよく出てくる（例えば、B1506A パワーデバイス・アナライザ 主要パラメータ自動測定装置のp6）。

MOSFETは、金属-酸化物-半導体（Metal-Oxide-Semiconductor）構造を持つ電界効果トランジスタ（Field-Effect Transistor）の略である。

nチャネル（n型）MOSFETは、p型半導体基板上にチャネル（電気の通り道）と呼ばれる領域を挟んで離れた2箇所にn型半導体領域（一方にソース電極、もう一方にドレイン電極が接続される）がある。チャネル領域の真上には酸化膜（絶縁層）を挟んで金属電極（ゲート電極）が存在する。

ゲートに電圧をかけていない状態では、ソース（n型半導体領域）とドレイン（n型半導体領域）間のチャネル領域はp型半導体なので（チャネル領域の電流の担い手であるキャリアはホールであり、ソースとドレインのキャリア（電子）と異なるので）、ソースからドレインに電流は流れない。

ゲートに電圧をかけると、ゲートが正に帯電して、ソースとドレインのキャリア（電子）がゲートに引き寄せられてp型半導体のチャネル領域に侵入し、ゲート直下のチャネル領域のp型半導体がn型半導体に反転してキャリアが同じ種類になり、電流が流れる（このことから、nチャネルMOSFETと呼ばれる）。

このように、MOSFETはゲート電圧を制御(オン／オフ）することにより、ソース-ドレイン間の電流を制御（オン／オフ）している。MOSFETをオンにするために（駆動するために）、ゲートを帯電させる（ゲートに注入される）電荷量のことをゲート電荷と呼んでいる。ゲート電荷量が大きいということは、（ゲート電極－酸化膜－チャネル領域で構成されるコンデンサの）充電に時間がかかることを意味し、スイッチング（オン／オフ）に要する時間が長くなる（動作速度が遅くなる）。

p型半導体、n型半導体については、以下を参照

接合容量

MOSFETの動作については、以下を参照

インテル・ミュージアム > トランジスターの仕組み > MOSFET がスイッチとして動作する仕組み

MOSトランジスタとは？ MOSトランジスタの動作

半導体測定に関する翻訳に、junction capacitance（接合容量）という言葉がよく出てくる（例えば、B1506A パワーデバイス・アナライザ 主要パラメータ自動測定装置のp11）。

電気をよく通す物質は導体、通さない物質は絶縁体、その中間の物質は半導体と呼ばれる。半導体（例えば、Si（シリコン）やGe（ゲルマニウム））の中で不純物を含まないものは真性半導体と呼ばれる。

Si（シリコン）やGe（ゲルマニウム）などの原子は、4個の価電子（原子の最外殻を回っている電子で、原子同士の結合や反応にかかわる）を持っている。結晶構造では、それぞれの原子は最近接位置にある4個の原子と、価電子を1個ずつ出しあって（電子ペアを形成して）共有結合で強く結びついている（化学の分野のオクテット則により非常に安定した状態）。この状態では、価電子がすべて結合に使われているので、電気伝導に寄与する電子がない。

上の真性半導体に、5個の価電子を持つAs（ヒ素）やP（りん）などの不純物をドーピング（ごく微量添加）すると、結晶の原子同士の結合に使われない価電子が1つ余り、自由に動きまわれる電子（自由電子）が生じる。この負（nagative）の電荷を持つ電子が電気伝導に寄与する（電気を運ぶ担い手となるのでキャリアと呼ばれる）ので、このような半導体はn型半導体と呼ばれる。

上の真性半導体に、3個の価電子を持つB（ボロン）やIn（インジウム）などの不純物をドーピングすると、結晶の原子同士の結合に使われる価電子が1つ不足し、結合に電子の欠落した状態が生じる。この電子が欠落した部分（正に帯電しているので、正孔（ホール）と呼ばれる））に近くの電子が引き寄せられて移動し、その電子が存在していた部分が正に帯電する（正孔になる）を繰り返すことにより、あたかも、正（positive）の電荷を持つ正孔が自由に動きまわっているように見える。これが電気伝導に寄与するキャリアとなり、このような半導体はｐ型半導体と呼ばれる。

n型半導体とp型半導体を接合すると（PN接合と呼ばれる）、接合面の近くのn型半導体のキャリア（電子）とp型半導体のキャリア（正孔）が引き寄せられて再結合して消滅し、キャリアの存在しない空乏層と呼ばれる部分が生じる。この状態は、空乏層を挟んでその両端に負の電荷と正の電荷が存在する、コンデンサと同じ状態であり、静電容量が生じている。この容量を接合容量と呼ぶ。

PN接合、接合容量については、以下を参照

金沢大学理工学域電子情報学類教授 北川章夫氏のホームページ > 講義案内 > 集積回路工学第1 > 2.1 MOSFETの構造と機能

OKAWA Electric Design > 資料基礎編のダイオードの静電容量、トランジスタの静電容量

パワー半導体測定に関する翻訳に、reverse transfer capacitance（逆伝達キャパシタンス）という言葉がよく出てくる（例えば、B1506A パワーデバイス・アナライザ 主要パラメータ自動測定装置のp2）。reverse transfer capacitanceは、逆伝達容量、帰還容量とも訳される。

逆伝達キャパシタンスとは、MOSFETではゲート－ドレイン間に存在する寄生キャパシタンス（バイポーラ・トランジスタではベース－コレクタ間の寄生キャパシタンス）のことである。この寄生キャパシタンスにより、出力から入力に信号が帰還される。

このような反転増幅器の入力（ゲート／ベース）と出力（ドレイン／コレクタ）の間にある帰還キャパシタンス（C）は、入力側から見ると、反転増幅器（FETまたはトランジスタ）の増幅率をAとして、等価的にC（1＋A)のキャパシタンスが入力側でグランドに接続されたように見える。これは、発見者の名前からミラー効果と呼ばれ、逆伝達容量をミラー容量と呼ぶこともある。この容量により、反転増幅器の入力側にローパス・フィルタが形成され、信号の高周波成分が減衰し、高周波特性が悪化する。

ミラー容量については、以下を参照

Miller Effect（英語ページ）

OKAWA Electric Design > 資料基礎編 > ミラー容量