半導体測定に関する翻訳に、gate charge（ゲート電荷）という言葉がよく出てくる（例えば、B1506A パワーデバイス・アナライザ 主要パラメータ自動測定装置のp6）。
MOSFETは、金属-酸化物-半導体（Metal-Oxide-Semiconductor）構造を持つ電界効果トランジスタ（Field-Effect Transistor）の略である。
nチャネル（n型）MOSFETは、p型半導体基板上にチャネル（電気の通り道）と呼ばれる領域を挟んで離れた2箇所にn型半導体領域（一方にソース電極、もう一方にドレイン電極が接続される）がある。チャネル領域の真上には酸化膜（絶縁層）を挟んで金属電極（ゲート電極）が存在する。
ゲートに電圧をかけていない状態では、ソース（n型半導体領域）とドレイン（n型半導体領域）間のチャネル領域はp型半導体なので（チャネル領域の電流の担い手であるキャリアはホールであり、ソースとドレインのキャリア（電子）と異なるので）、ソースからドレインに電流は流れない。
ゲートに電圧をかけると、ゲートが正に帯電して、ソースとドレインのキャリア（電子）がゲートに引き寄せられてp型半導体のチャネル領域に侵入し、ゲート直下のチャネル領域のp型半導体がn型半導体に反転してキャリアが同じ種類になり、電流が流れる（このことから、nチャネルMOSFETと呼ばれる）。
このように、MOSFETはゲート電圧を制御(オン／オフ）することにより、ソース-ドレイン間の電流を制御（オン／オフ）している。MOSFETをオンにするために（駆動するために）、ゲートを帯電させる（ゲートに注入される）電荷量のことをゲート電荷と呼んでいる。ゲート電荷量が大きいということは、（ゲート電極－酸化膜－チャネル領域で構成されるコンデンサの）充電に時間がかかることを意味し、スイッチング（オン／オフ）に要する時間が長くなる（動作速度が遅くなる）。
p型半導体、n型半導体については、以下を参照
MOSFETの動作については、以下を参照