半導体デバイス測定に関する翻訳で、GaNという言葉が出てくる（例えば、B1505A パワーデバイス・アナライザ／カーブトレーサのp2）。
半導体には、Si（シリコン）などのように1種類の元素を材料にしているものと、GaAs（ガリウムヒ素）などのように2種類以上の元素を材料にした化合物半導体がある。GaNは、化合物半導体の1つで、ガリウムナイトライド（Gallium Nitride）または窒化ガリウムと呼ばれる。
近年、二酸化炭素の排出削減による地球温暖化の緩和や原子力発電所停止に伴う電力不足の解消のために、電車、電気自動車、太陽光発電などの大電力の制御に使用されている電力変換器（インバータ）の高効率化（低損失化）の要求が高まっている。このような電力変換器に使用されているパワー半導体としては、Si（シリコン）を材料にしたIGBTがある。さらなる、高出力、高効率、高耐圧動作が可能な半導体デバイスとして、GaN（窒化ガリウム）が注目されている。
GaNパワー半導体は、ワイドバンドギャップ半導体と呼ばれ、Si半導体に比べてバンドギャップ幅が約3倍広いので（価電子帯から伝導帯への熱励起が生じ難いので）、高温でもデバイス性能が劣化せず、冷却装置が不要／簡素化できる可能性がある。また、絶縁破壊が生じる電圧（絶縁破壊電界）もSi半導体に比べて約10倍大きいので、薄くて小型のデバイスを作成して寄生容量を低減でき、高速スイッチングが可能なパワー半導体を実現できる。さらに、半導体のオン抵抗は、絶縁破壊電界の3乗に反比例するので、Si半導体に比べて約1/1000のオン抵抗を実現して極めて効率の高い動作が可能になる。
GaNについては、以下を参照。
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半導体のオン抵抗と絶縁破壊電界の関係については、以下を参照。