IGBT

半導体デバイス測定に関する翻訳で、IGBTという言葉が出てくる(例えば、Keysight B1505Aによる1500 A/10 kV IGBTの特性評価)。IGBTは、Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)の略である。

IGBTは、ベース電流を制御してコレクタ-エミッタ間の主電流を制御するバイポーラ・トランジスタのベース部分がMOSFETのゲートに置き換わったようなもので、MOSFETの高速スイッチング性能とバイポーラ・トランジスタの高耐圧、低オン抵抗性能を併せ持っている。このような特徴から、高効率、省電力が求められる比較的大電力のパワー制御機器(冷蔵庫、エアコン、電気自動車、電車などのインバータ制御)で用いられている。

IGBTについては、以下を参照。

トランジスタの構造と基本特性(2)=MOSFETとIGBT=

こうして使おうパワー・デバイス 第3回 IGBTの原理と使い方

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