半導体デバイス測定に関する翻訳で、Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）という言葉がよく出てくる（例えば、B1500Aの波形発生器／高速測定ユニットのp3）。Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）は、RTNと略されることがある。

CPUやメモリなどのLSIには、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属酸化膜半導体）構造のトランジスタ（MOSFET、FETはField Effect Transistor（電界効果トランジスタ）の略）がスイッチング素子として使われている。MOSFETのゲートに電圧（電界）を印加する／しないによる、ソース－ドレイン間の電流のオン／オフ制御（スイッチ）を利用して、論理回路が形成されている。

近年のLSI CMOSプロセスの微細化に伴い、ソース－ドレイン間のチャネルを流れるキャリア（電子や正孔）の数（電流）が減少している。また、微細化により、ゲート酸化膜の厚さも極薄になり、酸化膜（SiO2）と半導体（Si）の界面におけるダングリングボンド（化学の分野の相手のいない結合の手）などの構造欠陥（キャリアを捕獲するトラップ）による影響が無視できなっている。

すなわち、CMOSプロセスの微細化により、ソース－ドレイン間のチャネルを流れる電流が極めて小さくなり、ゲート酸化膜界面のトラップによる1つ1つのキャリアのランダムな捕獲・放出過程の影響が、チャネルを流れる電流に現れるようになった。このトラップへの単一キャリアの出入りに起因するチャネル電流（ドレイン電流）の変動が、「ランダム・テレグラフ・ノイズ」である。

MOSFETについては、以下を参照

山形大学大学院理工学研究科廣瀬文研究室 > 半導体デバイス教科書プロジェクト > 第6章 MOSFET

ランダム・テレグラフ・ノイズについては、以下を参照。

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