アセットの更新の大切さ

お客様から用語集の見直しを依頼された。その用語集には13000以上の用語が収録されており、その多くは弊社の校正者がひとつひとつ訳仕分けも考慮して作成してきたものである。
ただ、CATツールを使用し始める前からのものなので、情報量が多すぎ、クラウドベースでの翻訳ツールには向かない。一般用語も含まれており、用語のヒットが多すぎて、ずーーっと下にスクロールしなくてはヒットした用語が見れないのだ。これでは用語集の意味がない。
依頼されたのが去年の9月。ようやく年始に納品した。最終的な用語の数は3800。10000語程度エントリを減らしたことになる。またクラウド上で用語集のメンテナンスをさせてもらえる権利を頂け、これからはクラウド上で用語集の更新が直接できるようになった。

適度な間隔でアセットを更新することは大変重要である。プロジェクトの初期にはまだ定訳がなかった用語を、自社で翻訳し、その後、世間一般で異なる定訳が出てくるケースもある。お客様同士の合併や吸収で異なったスタイルや用語が混ざってしまうこともある。

いずれの場合も翻訳者にとって必要なのは、Webで公開されている数ある訳のなかで「このお客様」が使用する用語を用語集やTMで、「一目で」検索できることである。

デプロの場合は、お客様と長いお付き合いをさせていただくため、用語集やTMの管理を任せられることも多い。この用語集があるのだから、大丈夫、とは思わず、常に翻訳者さんの作業環境を考えながら、アセットを更新していこうと思う。結局はそれが品質の向上につながり、お客様の信頼を得ることなる。

SNS使ってる??

SNSを積極的に活用している人、SNSには興味がない人、さまざまだが、先日Facebookを愛用しているフランス人の友人が
That’s the magic of facebook, what matters is that it enables to share pictures and stay in contact even when far away!
うん、確かに。別のドイツ人の友人が
It is my life log. Even I myself do not remember when, where I visited, with whom. At the end of my life, I will see all my pages and remember how happy I have been.
これもわかる。
私はインスタグラムで家で作った料理の写真を「#おうちごはん」として記録している。2017年から初めて投稿数は昨日までで326。いわゆるご飯ログ。ゴージャスな時もあれば、たまにはこれ、みたいなものもある。でも何作ろうかなあと思ったときふとインスタを見直すとアイデアが浮かんだりする。
Facebookでもリンクをシェアしたりとかはしていなくてもっぱら自分の活動ログに使っている。それでも普段会えない友人から「いいね」をもらうと何となくあったかい気持ちになる。今からでも始めてみては?

SiC

半導体デバイス測定に関する翻訳で、GaNという言葉が出てくる(例えば、B1505A パワーデバイス・アナライザ/カーブトレーサのp2)。

半導体には、Si(シリコン)などのように1種類の元素を材料にしているものと、GaAs(ガリウムヒ素)などのように2種類以上の元素を材料にした化合物半導体がある。SiCは、化合物半導体の1つで、シリコン・カーバイド(Slicon Carbide)または炭化珪素と呼ばれる。

近年、二酸化炭素の排出削減による地球温暖化の緩和や原子力発電所停止に伴う電力不足の解消のために、電車、電気自動車、太陽光発電などの大電力の制御に使用されている電力変換器(インバータ)の高効率化(低損失化)の要求が高まっている。このような電力変換器に使用されているパワー半導体としては、Si(シリコン)を材料にしたIGBTがある。さらなる、高出力、高効率、高耐圧動作が可能な半導体デバイスとして、GaN(窒化ガリウム)とともにSiCが注目されている。

SiCパワー半導体は、GaNパワー半導体と同様にワイドバンドギャップ半導体と呼ばれ、Si半導体に比べてバンドギャップ幅が約3倍広いので、高温でもデバイス性能が劣化せず、冷却装置を不要/簡素化でき、小型のインバーターを実現できる。また、GaNパワー半導体と同様に、絶縁破壊電界もSi半導体に比べて約10倍大きく、Si半導体に比べて約1/1000のオン抵抗を実現して極めて効率の高い動作が可能である。

SiCパワー半導体とGaNパワー半導体の主な違いは、SiCパワー半導体がSiC単結晶基板上に形成するのに対して、GaNパワー半導体はSi基板上にGaN層を形成するので、高耐圧化が難しいことである。このことから、SiCパワー半導体は高耐圧、大電流アプリケーションに利用され、GaNパワー半導体は小型、高周波アプリケーションに利用されている。

SiCについては、以下を参照

SiCパワー素子の技術開発競争、今後5年から10年が勝負

半導体のオン抵抗と絶縁破壊電界の関係については、以下を参照。

オン抵抗と耐圧