半導体デバイス測定に関する翻訳で、Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）という言葉がよく出てくる（例えば、B1500Aの波形発生器／高速測定ユニットのp3）。Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）は、RTNと略されることがある。

CPUやメモリなどのLSIには、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属酸化膜半導体）構造のトランジスタ（MOSFET、FETはField Effect Transistor（電界効果トランジスタ）の略）がスイッチング素子として使われている。MOSFETのゲートに電圧（電界）を印加する／しないによる、ソース－ドレイン間の電流のオン／オフ制御（スイッチ）を利用して、論理回路が形成されている。

近年のLSI CMOSプロセスの微細化に伴い、ソース－ドレイン間のチャネルを流れるキャリア（電子や正孔）の数（電流）が減少している。また、微細化により、ゲート酸化膜の厚さも極薄になり、酸化膜（SiO2）と半導体（Si）の界面におけるダングリングボンド（化学の分野の相手のいない結合の手）などの構造欠陥（キャリアを捕獲するトラップ）による影響が無視できなっている。

すなわち、CMOSプロセスの微細化により、ソース－ドレイン間のチャネルを流れる電流が極めて小さくなり、ゲート酸化膜界面のトラップによる1つ1つのキャリアのランダムな捕獲・放出過程の影響が、チャネルを流れる電流に現れるようになった。このトラップへの単一キャリアの出入りに起因するチャネル電流（ドレイン電流）の変動が、「ランダム・テレグラフ・ノイズ」である。

MOSFETについては、以下を参照

山形大学大学院理工学研究科廣瀬文研究室 > 半導体デバイス教科書プロジェクト > 第6章 MOSFET

ランダム・テレグラフ・ノイズについては、以下を参照。

東芝のホームページ > 企業情報 > 研究開発・技術 > 東芝レビュー > バックナンバーへ > 2013年 08 スマートグリッドを支える基盤技術 > 微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明

周波数カウンタに関する翻訳で、OCXOという言葉がよく出てくる（例えば、RF/ユニバーサル周波数カウンタの比較ガイド）。OCXOは、Oven-Controlled Xtal（crystal） Oscillator（オーブン（温度）制御型水晶発振器） の略である。

最近のデジタル機器の急増により、さまざまなデジタルデータが有線、無線を問わず伝送されている。これらのデータを誤りなく送受信するには、送信側と受信側で正確にタイミングを合わせる必要があり、そのための正確な基準クロック信号の発生に水晶発振器が用いられている。

水晶発振器とは、水晶振動子を共振回路に使用した発振器で、水晶振動子の極めて安定で正確な固有振動を利用して基準周波数を発生させられる。LC発振器やCR発振器の温度に対する周波数安定度が100ppm/℃程度であるのに対して、水晶発振器の周波数安定度は数ppm/℃である。

水晶振動子の温度による周波数変化と反対の特性を持つ回路を追加して、さらに周波数安定度を高めたものはTCXO（Temperature Compensated Xtal Oscillator：温度補償型水晶発振器）と呼ばれ、100ppb/℃程度の周波数安定度があり、身近なものでは携帯電話などのGPS信号受信用に使用されている。

OCXOは、温度による周波数変化が最小となる温度で、その温度を一定に保つ（水晶振動子を恒温槽（オーブン）内に配置する）ことにより、極めて高い周波数安定度が得られるようにした水晶発振器である。10ppb/℃以下の周波数安定度が得られ、携帯電話の基地局、放送機器、測定器などに使用されている。

水晶発振器については、以下を参照。

水晶デバイス基礎講座

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