半導体デバイス測定に関する翻訳で、IGBTという言葉が出てくる（例えば、Keysight B1505Aによる1500 A/10 kV IGBTの特性評価）。IGBTは、Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）の略である。
IGBTは、ベース電流を制御してコレクタ－エミッタ間の主電流を制御するバイポーラ・トランジスタのベース部分がMOSFETのゲートに置き換わったようなもので、MOSFETの高速スイッチング性能とバイポーラ・トランジスタの高耐圧、低オン抵抗性能を併せ持っている。このような特徴から、高効率、省電力が求められる比較的大電力のパワー制御機器（冷蔵庫、エアコン、電気自動車、電車などのインバータ制御）で用いられている。
IGBTについては、以下を参照。