半導体測定に関する翻訳に、junction capacitance（接合容量）という言葉がよく出てくる（例えば、B1506A パワーデバイス・アナライザ 主要パラメータ自動測定装置のp11）。
電気をよく通す物質は導体、通さない物質は絶縁体、その中間の物質は半導体と呼ばれる。半導体（例えば、Si（シリコン）やGe（ゲルマニウム））の中で不純物を含まないものは真性半導体と呼ばれる。
Si（シリコン）やGe（ゲルマニウム）などの原子は、4個の価電子（原子の最外殻を回っている電子で、原子同士の結合や反応にかかわる）を持っている。結晶構造では、それぞれの原子は最近接位置にある4個の原子と、価電子を1個ずつ出しあって（電子ペアを形成して）共有結合で強く結びついている（化学の分野のオクテット則により非常に安定した状態）。この状態では、価電子がすべて結合に使われているので、電気伝導に寄与する電子がない。
上の真性半導体に、5個の価電子を持つAs（ヒ素）やP（りん）などの不純物をドーピング（ごく微量添加）すると、結晶の原子同士の結合に使われない価電子が1つ余り、自由に動きまわれる電子（自由電子）が生じる。この負（nagative）の電荷を持つ電子が電気伝導に寄与する（電気を運ぶ担い手となるのでキャリアと呼ばれる）ので、このような半導体はn型半導体と呼ばれる。
上の真性半導体に、3個の価電子を持つB（ボロン）やIn（インジウム）などの不純物をドーピングすると、結晶の原子同士の結合に使われる価電子が1つ不足し、結合に電子の欠落した状態が生じる。この電子が欠落した部分（正に帯電しているので、正孔（ホール）と呼ばれる））に近くの電子が引き寄せられて移動し、その電子が存在していた部分が正に帯電する（正孔になる）を繰り返すことにより、あたかも、正（positive）の電荷を持つ正孔が自由に動きまわっているように見える。これが電気伝導に寄与するキャリアとなり、このような半導体はｐ型半導体と呼ばれる。
n型半導体とp型半導体を接合すると（PN接合と呼ばれる）、接合面の近くのn型半導体のキャリア（電子）とp型半導体のキャリア（正孔）が引き寄せられて再結合して消滅し、キャリアの存在しない空乏層と呼ばれる部分が生じる。この状態は、空乏層を挟んでその両端に負の電荷と正の電荷が存在する、コンデンサと同じ状態であり、静電容量が生じている。この容量を接合容量と呼ぶ。
PN接合、接合容量については、以下を参照
金沢大学理工学域電子情報学類教授 北川章夫氏のホームページ > 講義案内 > 集積回路工学第1 > 2.1 MOSFETの構造と機能