半導体デバイス測定に関する翻訳で、Vthという言葉がよく出てくる（例えば、B1500A半導体デバイス・アナライザのp3）。Vthは、Voltage THreshold（しきい値電圧）の略である。
CPUやメモリなどのLSIには、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属酸化膜半導体）構造のトランジスタ（MOSFET、FETはField Effect Transistor（電界効果トランジスタ）の略）がスイッチング素子として使われている。MOSFETのゲートに電圧（電界）を印加する／しないによる、ソース－ドレイン間の電流のオン／オフ制御（スイッチ）を利用して、論理回路が形成されている。
nチャネル（n型）MOSFETは、p型半導体基板上にチャネル（電気の通り道）と呼ばれる領域を挟んで離れた2箇所にn型半導体領域（一方にソース電極、もう一方にドレイン電極が接続される）がある。チャネル領域の真上には酸化膜（絶縁層）を挟んで金属電極（ゲート電極）が存在する。
ゲート電極に少しずつ正の電圧を印加していくと、絶縁層を挟んだp型半導体基板の多数キャリア（電流の担い手であるホール）が正の電圧に反発してグランドに逃げて、動けないマイナスの電荷が残り、空乏層が形成される（ゲート電圧に応じて空乏層が厚くなっていく）。この状態では、ゲート直下には、動けないマイナスの電荷が残っている空乏層があるだけなので、ドレインに電圧を印加してもソース－ドレイン間に電流は流れない。
さらにゲート電圧を大きくしていくと、空乏層の厚さだけでは対応できなくなり、ソースとドレインのキャリア（電子）がゲート直下に引き寄せられて、ゲート直下のp型半導体が電子の多いn型半導体に反転する（反転層が形成される）。反転層が形成されると、ソースとドレインがn型半導体でつながるので、電流が流れ始める。このときのゲート電圧をしきい値電圧（Vth）と呼ぶ。
MOSFETについては、以下を参照
山形大学大学院理工学研究科廣瀬文研究室 > 半導体デバイス教科書プロジェクト > 第6章 MOSFET
Vthについては、以下を参照。