ネットワーク・アナライザ測定に関する翻訳で、non-insertable device（ノンインサータブル・デバイス）という言葉がよく出てくる。（例えば、ベクトル・ネットワーク・アナライザ用電子校正（ECal）モジュール）。

ネットワーク・アナライザ測定の系統（システマティック）誤差には、

信号の漏れに関連した、方向性とクロストーク

信号の反射に関連した、信号源インピーダンス不整合と負荷インピーダンス不整合

基準経路と測定経路の周波数応答の違いである、反射トラッキングと伝送トラッキング

がある。

2ポート・デバイスの場合は、上の6種類の誤差項が順方向と逆方向のそれぞれに存在し、全部で12種類の誤差項がある。これらの誤差項をすべて求めて補正するために、フル2ポート校正が行われる。12種類の誤差項があるので、特性が既知の校正用標準器が12種類以上必要になる。フル2ポート校正として、ショート、オープン、ロード、スルーの各基準器を使用する、SOLT（Short-Open-Load-Thru）校正が広く使用されている。

このSOLT校正でスルー校正を行う際に、2ポート・デバイスのそれぞれのポートのコネクタが、

同じタイプのコネクタで性（オス・メス）が異なる場合
または
同じタイプのコネクタで性（オス・メス）の区別がない場合

は、2ポート・デバイスに接続するテスト・ケーブル同士を直結することで長さゼロのスルー接続を実現できる。このようなデバイスをインサータブル・デバイスと呼んでいる。

2ポート・デバイスのそれぞれのポートの

コネクタのタイプと性が同じ場合
または
コネクタのタイプが異なる場合（例えば、一方が同軸で、他方が導波管）

は、接続するテスト・ケーブル同士を直結できないので、長さゼロのスルー接続が実現できずアダプタを使用した代替校正（アダプタ除去校正）を行う必要がある。このようなデバイスをノンインサータブル・デバイスと呼んでいる。

ネットワーク・アナライザの校正については、以下を参照

計測の基礎セミナ RF/マイクロ波コース ネットワーク・アナライザの基礎のp67～p92

半導体デバイス測定に関する翻訳で、Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）という言葉がよく出てくる（例えば、B1500Aの波形発生器／高速測定ユニットのp3）。Random Telegraph Noise（ランダム・テレグラフ・ノイズ）は、RTNと略されることがある。

CPUやメモリなどのLSIには、MOS（Metal-Oxide-Semiconductor、金属酸化膜半導体）構造のトランジスタ（MOSFET、FETはField Effect Transistor（電界効果トランジスタ）の略）がスイッチング素子として使われている。MOSFETのゲートに電圧（電界）を印加する／しないによる、ソース－ドレイン間の電流のオン／オフ制御（スイッチ）を利用して、論理回路が形成されている。

近年のLSI CMOSプロセスの微細化に伴い、ソース－ドレイン間のチャネルを流れるキャリア（電子や正孔）の数（電流）が減少している。また、微細化により、ゲート酸化膜の厚さも極薄になり、酸化膜（SiO2）と半導体（Si）の界面におけるダングリングボンド（化学の分野の相手のいない結合の手）などの構造欠陥（キャリアを捕獲するトラップ）による影響が無視できなっている。

すなわち、CMOSプロセスの微細化により、ソース－ドレイン間のチャネルを流れる電流が極めて小さくなり、ゲート酸化膜界面のトラップによる1つ1つのキャリアのランダムな捕獲・放出過程の影響が、チャネルを流れる電流に現れるようになった。このトラップへの単一キャリアの出入りに起因するチャネル電流（ドレイン電流）の変動が、「ランダム・テレグラフ・ノイズ」である。

MOSFETについては、以下を参照

山形大学大学院理工学研究科廣瀬文研究室 > 半導体デバイス教科書プロジェクト > 第6章 MOSFET

ランダム・テレグラフ・ノイズについては、以下を参照。

東芝のホームページ > 企業情報 > 研究開発・技術 > 東芝レビュー > バックナンバーへ > 2013年 08 スマートグリッドを支える基盤技術 > 微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明